スピン歳差運動をテラヘルツ光で読み出す技術を開発 ―スピンとテラヘルツがつなぐ磁気インターフェースの構築―

公開日:2025年10月28日
本研究成果は、2025年10月24日に米国の学術誌「Physical Review Applied」に掲載されました。 

 京都大学化学研究所 Zhang Zhenya 博士研究員(研究当時、現:清華大学 博士研究員)、渡邊優一 修士課程学生、廣理英基 教授、塩田陽一 准教授、輕部修太郎 特定准教授、小野輝男 教授は、強磁性体におけるスピン(磁化)歳差運動の情報を、テラヘルツ(THz、テラは1兆)光の偏光回転として直接読み出すことに成功しました。従来、磁化の超高速ダイナミクスの検出には、磁気光学効果やTHz光放射の観測が用いられてきましたが、スピン歳差運動の情報をTHz光の偏光変調として直接検出する技術は確立されていませんでした。本研究では、Co–Pt多層膜構造を用いて光励起–THzファラデー回転測定を行い、スピン歳差運動(複数のスピンが、外部磁場の中で同じ周波数と位相を保って一斉に歳差運動を行う現象)に伴う異常ホール伝導度の時間変化をTHz偏光の変調として観測しました。外部磁場の強度に応じてスピン歳差運動の周波数が変化することで、歳差運動がTHz偏光に変調をもたらしていることがわかりました。この成果は、スピン情報をTHz光によって読み出す新たな手法を提示するものであり、スピントロニクスとTHzエレクトロニクスの融合に向けた重要な一歩となることが期待されます。

 

 
図1:スピン歳差運動とTHzファラデー回転測定の概念とサンプル構造
(A)磁性体における異常ホール効果(AHE)とTHz偏光回転の概念図。スピンが歳差運動しており、y軸方向の電流とTHz光の偏光が変調される。太矢印(白色)は上向きスピン(↑)と下向きスピン(↓)の電子がそれぞれ異なる方向に流れる様子を示す。(B)SiO₂基板上に成膜された強磁性多層膜構造。M:磁性体内部の磁化ベクトル。