京都大学化学研究所 原田布由樹 博士課程学生、中村智也 助教、若宮淳志 教授、金子竜二 元特定助教（現・株式会社エネコートテクノロジーズ）、Shuaifeng Hu 元博士課程学生らの研究グループは、高品質なスズペロブスカイト半導体薄膜を作製するための、汎用性の高い塗布成膜法を開発しました。
　スズペロブスカイト半導体は鉛フリー型材料として期待されていますが、均一で高品質な薄膜が作製しにくいことが、鉛フリー型太陽電池の高性能化を妨げるボトルネック課題となっていました。本研究では、実用的なサイズにも利用できる塗布成膜法として、1-ビニルイミダゾールを結晶成長制御の添加剤に利用した真空乾燥法（V-CGR法）を用いた、均一で高品質なスズペロブスカイト半導体薄膜を作製する手法を開発しました。これにより、これまで困難であった疎水性の単分子膜（MeO-2PACzや2PACz）上への成膜も可能となり、7.5 cm角の大面積基板でも均一で高品質なスズペロブスカイト薄膜が作製できるようになりました。